Zur Theorie der metallischen Elektrizitätsleitung. (Q2579437)
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scientific article; zbMATH DE number 2501962
| Language | Label | Description | Also known as |
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| English | Zur Theorie der metallischen Elektrizitätsleitung. |
scientific article; zbMATH DE number 2501962 |
Statements
Zur Theorie der metallischen Elektrizitätsleitung. (English)
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1942
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Kritische Bemerkungen zur Theorie der metallischen Elektrizitätsleitung: 1. Das Blochsche Verfahren ist aus zwei Gründen bedenklich; erstens sind die von ihm verwendeten Eigenfunktionen nur für völlig ideale Kristalle, nicht aber für einen Realkristall, ein kristallines Gefüge oder eine metallische Flüssigkeit gültig, und zweitens kann wegen der starken Wechselwirkung zwischen den Elektronen und Gitterschwingungen nicht mehr von einer scharfen Energieübertragung zwischen ihnen gesprochen werden, so daß das ganze Näherungsverfahren nicht mehr zulässig erscheint. Dieses wäre nur bei so schwacher Wechselwirkung der Fall, daß man auch in erster Näherung mit freien Elektronen im Metallgitter rechnen kann. -2. Bei der Berechnung der Gleichgewichtsverteilung für die Elektronen in einem äußeren elektrischen Feld besteht ein bisher noch nicht gelöstes Problem in der Angabe einer Bedingung für die Streuwahrscheinlichkeit der Elektronen im Gitter, deren Erfüllung für die Ausbildung eines Gleichgewichtszustandes im elektrischen Feld notwendig ist. -3. Rechnet man mit freien Elektronen als erster Näherung, so gewinnt die Leitfähigkeitstheorie ganz wesentlich an Einfachheit und Klarheit. Man findet durch konsequente Weiterführung einer von Houston angegebenen Methode in einfacher Weise für hohe Temperaturen die Proportionalität des Widerstandes mit \(T\), während man für tiefe Temperaturen durch korrespondenzmäßige Betrachtungen zu einer Stationaritätsgleichung geführt wird, welche im wesentlichen mit der Blochschen Integralgleichung übereinstimmt. Aus dieser werden Schranken für den Widerstand bei tiefen Temperaturen abgeleitet, welche zeigen, daß das \(T^5\)-Gesetz nur bei starker Abschirmung der Gitterionen zu erwarten ist, während sich der Widerstand bei schwacher Abschirmung mit einer kleineren Potenz von \(T\) ändern muß.
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