Particle simulations of the semiconductor Boltzmann equation for one- dimensional inhomogeneous structures (Q808211)

Die Arbeit enthält eine sorgfältige und umfangreiche Untersuchung zur Effizienz der ``Methoden gewichteter Partikel'' für die eindimensionale, räumlich inhomogene Boltzmann-Vlasov Gleichung für Halbleiter. Da es dabei darum geht, die Methode zu testen, wird ein relativ einfacher Spezialfall des Stoßintegrals behandelt - andererseits wird die Vereinfachung nicht wie so oft bis zu dem relativ uninteressanten Fall der räumlichen Homogenität getrieben. Die Methode wird in drei Varianten vorgestellt, die sich hinsichtlich der Kopplung der Poissongleichung \(\Phi ''(x)=-q/\epsilon (n_ 0(x)-n(x,t))\) mit der Partikelapproximation von f(t,x,v) mit \(n(t,x)=\int f(t,x,v)dv\) unterscheiden. Die Varianten selbst sind schon bekannt, neu ist eben die Anwendung auf analytisch behandelbare Fälle von Plasmaoszillationen (unter Einbeziehung von Kollisionen) und auf ein räumlich inhomogenes Testproblem, bei dem das Doping Profil \(n_ 0(x)\) von einem hohen Wert links auf einen sehr tiefen Wert in der Mitte und dann rechts wieder hoch springt \((N^+-N^--N^+\) Struktur) - auch hier gibt es exakte Aussagen, die sich zum Vergleich verwenden lassen. Die Ergebnisse favorisieren allerdings eine Methode, für die bis heute keine effiziente Übertragung auf echt dreidimensionale Probleme gefunden wurde.